태국 ‘Siam Silica’ 반도체 로드맵…2030년 팹 1곳 목표

태국이 반도체 산업을 설계와 조립 중심에서 웨이퍼 생산과 첨단 패키징까지 넓히기 위한 Siam Silica Framework를 공개했습니다. 7월 27일 열린 국가고등교육·과학정책위원회 회의에서는 2030년 생산시설과 기업, 전문인력 목표가 함께 제시됐습니다.

다섯 분야에 집중

Siam Silica가 제시한 핵심 분야는 포토닉스 팹, 첨단 패키징, 실리콘 설계, 양자 포토닉스와 전력반도체입니다. 태국이 이미 기반을 갖춘 전자부품·PCB·반도체 조립 산업을 활용하면서 상대적으로 진입 기회가 있는 분야에 집중하는 구성입니다.

IC 설계는 대규모 생산시설보다 초기 투자 부담이 낮고 부가가치가 높다는 점에서 우선 분야로 거론됐습니다. 전력반도체와 광반도체, 센서 분야도 전기차·산업장비·데이터센터와 연결되는 시장으로 평가됐습니다.

NXPO 발표에 담긴 2030년 목표는 다음 세 가지입니다.

이는 정책이 달성하려는 수치입니다. 공장 사업자나 부지, 투자액과 착공 일정이 확정됐다는 발표는 아닙니다. 정부는 세부 실행계획을 관계기관과 보완하겠다고 밝혔습니다.

시설 목표와 함께 구체적인 인력 수요도 제시됐습니다. 교수 152명, 연구자·전문가·수석 엔지니어 950명, 고숙련 엔지니어 553명과 기술자 1,330명입니다.

정부는 대학의 IC 설계 특화과정, 산업현장과 연계한 교육, STEMPlus를 통한 재교육을 활용할 계획입니다. 기존 제조업 인력을 반도체와 첨단전자 분야로 전환하고 해외 연구기관·기업과 공동연구를 늘리는 방안도 포함됐습니다.

Siam Silica는 인력, 연구, 국제협력과 특정 기술 분야를 연결하는 실행 프레임에 가깝습니다. BOI가 별도로 마련 중인 국가 반도체·첨단전자산업 전략은 2026년부터 2050년까지 산업 전체의 투자와 생산망을 다룹니다.

국가 전략의 초기 방향은 태국이 강점을 가진 반도체 조립·테스트와 IC 설계를 확대하고, 웨이퍼 생산 같은 상류 공정 투자를 끌어오는 것입니다. 두 계획은 같은 산업을 다루지만 발표 목적과 목표 집계 범위가 같지는 않습니다.

현재 확인되지 않은 핵심은 예산과 시설 입지, 투자 사업자와 착공 일정입니다. 대학 교육과정과 연구 인프라가 실제로 언제 열리는지, BOI 투자 혜택에 기술이전·인력양성 조건이 어떻게 반영되는지도 후속 발표가 필요합니다.

따라서 이번 발표는 ‘태국에 반도체 팹 건설이 확정됐다’기보다, 태국 정부가 2030년까지 만들려는 산업 구조와 필요한 인력을 숫자로 제시한 단계로 보는 것이 정확합니다.

태국 국가고등교육·과학·연구·혁신정책위원회 사무국 · Siam Silica Framework — https://www.nxpo.or.th/th/48528/
태국 투자청 · 국가 반도체·첨단전자산업 장기 전략 — https://www.boi.go.th/index.php?_module=news&from_page=press_releases2&page=press_releases_detail&topic_id=138400
태국 투자청 · 반도체·첨단전자산업 전략 의견수렴 자료 — https://www.boi.go.th/upload/content/BOI%20Semiconductor%20Strategy_Online%20Public%20Hearing.pdf